[发明专利]一种铜锌锡硫薄膜太阳电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种铜锌锡硫薄膜太阳电池的制备方法，该薄膜电池包括钠钙玻璃衬底、金属背电极钼（Mo）层、p型Cu₂ZnSnS₄吸收层、n型Cd_1‑xZn_xS缓冲层、ZnO窗口层、Al电极；所述p型Cu₂ZnSnS₄吸收层的制备方法是：使用四元化合物铜锌锡硫靶，采用一步溅射沉积，无需后续硫化工艺。所述n型Cd_1‑xZn_xS缓冲层，减少了Cd的使用量，减小了对环境的污染，同时增加了电池的短波吸收，提高了电池的光电转换效率。本发明的薄膜太阳电池具有各元素均无毒无污染、储量丰富、制备工艺简单、光电转换效率较高、成本较低、适合工业化生产等优点。

主权项

1.一种铜锌锡硫薄膜太阳电池，包括：自下而上依次设置的钠钙玻璃衬底、金属背电极Mo层、p 型 Cu2ZnSnS4吸收层、n 型 Cd 1‑xZnxS 缓冲层、本征 ZnO 及 Al 掺杂 ZnO 窗口层、Al 电极，其特征在于：所述 p 型 Cu2ZnSnS4吸收层由铜锌锡硫化合物靶一步溅射制备，其厚度为1000~1500nm，金属背电极Mo层的厚度为1100nm，n型Cd1‑xZnxS缓冲层的厚度为80nm，本征ZnO层的厚度为200nm，Al掺杂ZnO层的厚度为600nm。