[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置有效
| 申请号： | 201510981900.3 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106024658B | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 须田敦彦;丰田一行;菊池俊之 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。抑制半导体器件的特性偏差。具有下述工序：对在凸结构上具有实施了研磨后的第一含硅层的衬底的所述第一含硅层的膜厚分布数据进行接收的工序；基于膜厚分布数据，运算使衬底的中央面侧的膜厚与外周面侧的膜厚之差减小的处理数据的工序；将衬底搬入处理室的工序；向衬底供给处理气体的工序；和基于处理数据，在衬底上形成规定磁力的磁场、使处理气体活化，从而修正所述第一含硅层的膜厚分布的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，具有下述工序：对在凸结构上具有实施了研磨后的第一含硅层的衬底的所述第一含硅层的膜厚分布数据进行接收的工序；基于所述膜厚分布数据，运算使所述衬底的中央面侧的膜厚与外周面侧的膜厚之差减小的处理数据的工序；将所述衬底搬入处理室的工序；向所述衬底供给处理气体的工序；和基于所述处理数据，在所述衬底上形成规定磁力的磁场、使所述处理气体活化，从而修正所述第一含硅层的膜厚分布的工序，在所述膜厚分布数据为所述衬底的外周面侧的膜厚比所述衬底的中央面侧的膜厚小的情况下，所述修正工序中，使从所述衬底的侧方供给的高频电力比从所述衬底的上方供给的高频电力大，使所述处理气体活化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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