[发明专利]一种用于ESD保护的快速开启的SCR器件有效
| 申请号： | 201510981673.4 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105374868B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 刘继芝;郭骏雄;纪长志;刘志伟 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L27/02;H01L23/60;H01L29/06 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路的静电放电保护技术领域，涉及一种用于ESD保护的快速开启的SCR器件，用以克服SCR器件开启速度慢的问题。该SCR器件包括第一种导电类型硅衬底，硅衬底上形成相邻接的一个第二种导电类型阱区和一个第一种导电类型阱区，所述两个阱区内分别设有第二种导电类型重掺杂区，浅槽隔离区和第一种导电类型重掺杂区；其特征在于，所述第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区内掺杂浓度变化分布，沿着指向两阱区邻接处方向逐渐减小。本发明通过改变器件内阱区的横向掺杂浓度分布，在寄生pnp和/或寄生npn的基区内引入少数载流子的加速电场，减小相应少数载流子的基区渡越时间，最终减少SCR器件的开启时间，提高SCR器件开启速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 esd 保护 快速 开启 scr 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于ESD保护的快速开启的SCR器件，包括：第一种导电类型硅衬底，所述硅衬底上形成阱区，所述阱区包括一个第二种导电类型阱区和一个第一种导电类型阱区，所述两个阱区相邻接，所述第二种导电类型阱区、第一种导电类型阱区内分别设有第二种导电类型重掺杂区，浅槽隔离区和第一种导电类型重掺杂区；其特征在于，所述第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区内掺杂浓度变化分布，沿着指向两阱区邻接处方向逐渐减小。
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