[发明专利]原位生长石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料的方法

摘要

原位生长石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料的方法，本发明涉及Ti基钎料的制备方法。本发明要解决现有石墨烯与碳纳米管在Ti基钎料中难以均匀分散以及传统Ti基钎料热膨胀系数较高及高温力学性能差的问题。本发明的方法：一、以乙醇为溶剂将TiH₂粉与Ni(NO₃)₂·6H₂O混合，磁力搅拌并加热至无水乙醇挥发得到Ni(NO₃)₂/TiH₂复合粉末；二、采用等离子体增强化学气相沉积法制备石墨烯/碳纳米管增强TiH₂粉末；三、将制备的石墨烯/碳纳米管增强TiH₂粉末与金属粉末混合，充分研磨后得到石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料。本发明用于原位生长石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料的方法。

主权项

原位生长石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料的方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的：一、将Ni(NO₃)₂·6H₂O和TiH₂粉末置于无水乙醇中混合，然后在温度为80℃～100℃的条件下，磁力搅拌至无水乙醇全部挥发，再经研磨，得到Ni(NO₃)₂·TiH₂复合粉末；所述的Ni(NO₃)₂·6H₂O与TiH₂粉末的质量比为1:(1～10)；二、将Ni(NO₃)₂·TiH₂复合粉末置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，抽真空至5Pa以下，以气体流量为10sccm～40sccm通入氢气，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为100Pa～400Pa，并在压强为100Pa～400Pa和氢气气氛下，以20℃/min的升温速率将温度升温至500℃～560℃；三、以气体流量为10sccm～80sccm通入甲烷气体，调节氢气的气体流量为5sccm～20sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为200Pa～800Pa，然后在射频功率为100W～300W、压强为200Pa～800Pa和温度为500℃～560℃的条件下进行沉积，沉积时间为15min～45min；四、停止通入氢气，以气体流量为15sccm～45sccm通入氩气，调节甲烷气体流量为5sccm～50sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为500Pa～1000Pa，然后在射频功率为100W～300W、压强为500Pa～1000Pa和温度为500℃～560℃的条件下进行沉积，沉积时间为15min～45min，沉积结束后，停止通入甲烷气体，在氩气气氛下冷却，得到石墨烯/碳纳米管增强TiH₂复合粉末；五、将石墨烯/碳纳米管增强TiH₂复合粉末、TiH₂粉末及金属粉末混合并研磨，得到原位生长石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料，即完成原位生长石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料的方法；步骤五中得到的原位生长石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料为原位生长石墨烯/碳纳米管增强TiZrCuNi钎料时，所述的金属粉末为Zr金属粉末、Cu金属粉末和Ni金属粉末；步骤五中得到的原位生长石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料为原位生长石墨烯/碳纳米管增强TiZrCu钎料时，所述的金属粉末为Zr金属粉末和Cu金属粉末；步骤五中得到的原位生长石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料为原位生长石墨烯/碳纳米管增强AgCuTi钎料时，所述的金属粉末为Cu金属粉末和Ag金属粉末；步骤五中得到的原位生长石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料为原位生长石墨烯/碳纳米管增强TiCuNi钎料时，所述的金属粉末为Cu金属粉末和Ni金属粉末；步骤五中得到的原位生长石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料为原位生长石墨烯/碳纳米管增强TiNi钎料时，所述的金属粉末为Ni金属粉末；步骤五中得到的原位生长石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料为原位生长石墨烯/碳纳米管增强TiNiNb钎料时，所述的金属粉末为Ni金属粉末和Nb金属粉末；步骤五中得到的原位生长石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料为原位生长石墨烯/碳纳米管增强TiCuCo钎料时，所述的金属粉末为Cu金属粉末和Co金属粉末；步骤五中得到的原位生长石墨烯/碳纳米管增强Ti基钎料为原位生长石墨烯/碳纳米管增强SnCuTi钎料时，所述的金属粉末为Sn金属粉末和Cu金属粉末。