[发明专利]一种在泡沫镍上快速生长石墨烯花簇阵列的方法在审
| 申请号： | 201510980259.1 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105390300A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 冯双龙;魏兴战;史浩飞;申钧;冉秦翠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01M4/139 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 廖曦 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在泡沫镍上生长石墨烯花簇阵列的方法，将泡沫镍放置于等离子体化学气相沉积装置中，真空度控制在10-30毫巴，通入工作气体载入碳源至等离子体发生区域，0.1-1小时内，泡沫镍上生长出石墨烯花簇阵列，所述工作气体选自氢气，氩气或氦气中的一种或多种。此种方法可直接利用在泡沫镍基底上制备石墨烯花簇阵列，从而得到大比表面积的石墨烯包覆的泡沫镍电极，该结构大大提高了石墨烯的表面负载，为实现真正意义上的碳包覆多孔电极提供了一个简洁的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 泡沫 快速 生长 石墨 花簇 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种在泡沫镍上生长石墨烯花簇阵列的方法，其特征在于，将泡沫镍放置于等离子体化学气相沉积装置中，真空度控制在10‑30毫巴，通入工作气体载入碳源至等离子体发生区域，0.1‑1小时内，泡沫镍上生长出石墨烯花簇阵列，所述工作气体选自氢气，氩气或氦气中的一种或多种。
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