[发明专利]室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法在审
| 申请号： | 201510976237.8 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106910680A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 徐万劲;李磊;李艳平;姚利;侯瑞祥;秦国刚 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/26 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙)11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先通过感应耦合等离子体处理或其他方法在砷化镓材料或砷化镓器件表面引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照，激活励砷化镓内的金属杂质扩散。该方法简单快捷，而且由于不需高温，不仅可用于改善砷化镓晶片的性能，还可用于改善砷化镓器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 室温 环境 激励 砷化镓中 金属 原子 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，在室温环境下先对砷化镓材料或砷化镓器件引入表面缺陷，再对砷化镓材料或砷化镓器件进行一定剂量的伽马射线辐照。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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