[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201510975015.4 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105720095B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | T.巴斯勒;J.G.拉文;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/72;H01L29/06;H01L29/40;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王洪斌;张涛 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括具有带不同阈值电压的至少两个可开关区的有效面积。具体地，该器件包括：半导体基底，其包括定义功率器件的有效面积的多个可开关晶胞，每个可开关晶胞包括发射极区以及集电极区；发射极金属化件，其与可开关晶胞的发射极区进行欧姆接触；以及集电极金属化件，其与可开关晶胞的集电极区进行欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种功率器件，包括：半导体基底，其包括定义功率器件的有效面积的多个可开关晶胞，每个可开关晶胞包括发射极区以及集电极区；发射极金属化件，其与可开关晶胞的发射极区进行欧姆接触；以及集电极金属化件，其与可开关晶胞的集电极区进行欧姆接触；其中，所述有效面积包括第一可开关区和不同于第一可开关区的第二可开关区，第一和第二可开关区中的每一个包括可开关区中的一个或多个的至少一部分；其中，第一可开关区具有在定义器件阈值的5V至10V范围内的第一阈值，在所述器件阈值下，功率器件变得导电以便在发射极金属化件与集电极金属化件之间连续地传导功率器件的额定电流；以及其中，第二可开关区具有在定义功率器件的浪涌阈值的15V至25V范围内的第二阈值，在该浪涌阈值下，功率器件变得可操作用于在发射极金属化件与集电极金属化件之间传导浪涌电流，其中，功率器件的浪涌电流为功率器件的额定电流的至少五倍大。
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