[发明专利]一种高纯碳化硅粉料制备的方法

摘要

本发明公开了一种高纯碳化硅粉料制备的方法，实现超高纯度SiC粉料且工序简单的高纯碳化硅粉料制备方法。将混合好的原料置于高纯石墨坩埚中，将石墨坩埚置于中频感应加热炉中；在未开始加热时往炉腔中注入高纯H2至800mbar，然后保持压力800mbar，并保持H2持续充入1小时；将设备抽真空，使得真空度达到5×10-6mbar，随后缓慢升温至略低于1000℃，停留一定时间，使得真空度再次达到5×10-6mbar。紧接着缓慢升温至1000℃-1200℃，进行合成反应，合成时间持续10h；在1200℃下，将高纯H2注入炉腔，保持压力在800mbar，保持1h，将高纯Ar与H2以流量比10:1注入炉腔，保持压力在800mbar，然后快速升温至1900℃-2100℃进行转化合成反应，合成时间持续10h。大大提高合成环境的纯度。

主权项

 一种高纯碳化硅粉料制备的方法，包括以下步骤：第一步、选择高纯石墨粉(纯度＞99.999%)与高纯Si粉(纯度99.999%)以摩尔比1:1.02进行均匀混合；第二步、选择聚四氟乙烯粉(纯度＞99.999%)与混合后的原料以质量比1:100进行混合，所述(1)与(2)可同时进行；第三步、将混合好的原料置于高纯石墨坩埚中，将石墨坩埚置于中频感应加热炉中；在未开始加热时往炉腔中注入高纯H2至800mbar，然后保持压力800mbar，并保持H2持续充入1小时；第四步、将设备抽真空，使得真空度达到5×10‑6mbar，随后缓慢升温至略低于1000℃，停留一定时间，使得真空度再次达到5×10‑6mbar。