[发明专利]一种在纳米多孔铜上直接生长多孔碳纳米管-石墨烯杂化体的方法在审
| 申请号： | 201510967606.7 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105645376A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 康建立;邹程雄;张志佳;张兴祥;李建新 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;C01B31/04;B82Y30/00;B01J23/72;B01J35/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300160*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在纳米多孔铜上直接生长多孔碳纳米管-石墨烯杂化体的方法。包括(1)将厚度为100-300μm的冷轧Cu30Mn70合金带用去离子水清洗后干燥，置于浓度为0.05-0.1mol/L的稀盐酸溶液中进行去合金化腐蚀，直到基本无气泡溢出后取出样品；用去离子水清洗；之后放入真空干燥箱中进行常温干燥；(2)将纳米多孔铜催化剂前驱体放入石英方舟中，置于管式炉的恒温区，在流量为100-200sccm的氩气气氛下以2-10℃/min升温速率升温至600-800℃；之后以100-200sccm的流量通入氢气，还原退火2-4h；之后关闭氢气并通入乙炔与氩气的混合气进行生长，其中乙炔和氩气体积比为1∶(20-40)，生长时间为0.5h-1h；之后在流量为50-150sccm的氩气气氛下以2-10℃/min的降温速率降温至200-300℃；之后随炉冷到室温取出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 多孔 直接 生长 石墨 烯杂化体 方法 | ||
【主权项】：
一种在纳米多孔铜上直接生长多孔碳纳米管‑石墨烯杂化体的方法，其特征是：包括以下步骤，(1)制备纳米多孔铜催化剂前驱体将厚度为100‑300μm的冷轧Cu30Mn70合金带用去离子水清洗后干燥，置于浓度为0.05‑0.1mol/L的稀盐酸溶液中进行去合金化腐蚀，直到基本无气泡溢出后取出样品；用去离子水清洗；之后放入真空干燥箱中进行常温干燥，即制得纳米多孔铜催化剂前驱体；(2)制备多孔碳纳米管‑石墨烯杂化体将步骤(1)制得的纳米多孔铜催化剂前驱体放入石英方舟中，置于管式炉的恒温区，在流量为100‑200sccm的氩气气氛下以2‑10℃/min升温速率升温至600‑800℃；之后以100‑200sccm的流量通入氢气，还原退火2‑4h；之后关闭氢气并通入乙炔与氩气的混合气进行生长，其中乙炔和氩气体积比为1∶(20～40)，生长时间为0.5h‑1h；之后在流量为50‑150sccm的氩气气氛下以2‑10℃/min的降温速率降温至200‑300℃；之后随炉冷到室温取出，即制得在纳米多孔铜上均匀生长的多孔碳纳米管‑石墨烯杂化体。
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