[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201510964883.2 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105374882A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 卢改平 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;侯艺 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括：基板；形成于基板上的缓冲层；形成于缓冲层上的半导体层；形成于缓冲层、半导体层上的栅极绝缘层；形成于栅极绝缘层上的栅极；形成于栅极绝缘层、栅极上的介电层；以及形成于介电层上的钝化层；在钝化层、介电层与栅极绝缘层的内部分别形成有第一接触孔和第二接触孔，在第一接触孔与第二接触孔上分别形成源极与漏极；半导体层为低温多晶硅层，在缓冲层与半导体层之间还设有反射层和/或保温层。本发明还涉及上述薄膜晶体管的制备方法，主要利用沉积、光刻、蚀刻、激光照射等工艺方法制得上述薄膜晶体管。本发明的低温多晶硅薄膜晶体管能够得到较大的多晶硅晶粒尺寸，有助于获得较大的电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于：所述低温多晶硅薄膜晶体管包括：基板；形成于所述基板上的缓冲层；形成于所述缓冲层上的半导体层；形成于所述缓冲层、所述半导体层上的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的栅极；形成于所述栅极绝缘层、所述栅极上的介电层；以及形成于所述介电层上的钝化层；在所述钝化层、所述介电层与所述栅极绝缘层的内部分别形成有第一接触孔和第二接触孔，在所述第一接触孔与所述第二接触孔上分别形成源极与漏极；所述半导体层为低温多晶硅层，在所述缓冲层与所述半导体层之间还设有反射层和/或保温层。
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