[发明专利]图像传感器芯片的封装结构及封装方法

摘要

本发明提供一种图像传感器芯片的封装结构及封装方法，采用芯片背面的衬底沟槽刻蚀工艺来避免使用硅穿孔工艺，同时将沟槽底部暴露出的焊盘的外周边缘修正为阶梯状结构，由此来降低布线金属层的填充难度，增加后续填充的布线金属层与焊盘的接触面积，提高布线金属层的连接可靠性。

主权项

一种图像传感器芯片的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：提供封装基板和图像传感器芯片，所述封装基板具有透光区，所述图像传感器芯片形成在一半导体衬底的正面上，且所述图像传感器芯片周围的半导体衬底正面上形成有多个焊盘，每个焊盘是由多层金属层互连而成的金属结构；粘合所述封装基板与所述半导体衬底的正面，其中，所述透光区对应所述图像传感器芯片的感光区；对所述半导体衬底的背面进行刻蚀以形成沟槽，所述沟槽暴露所述焊盘的最底层金属层；刻蚀所述焊盘以使所述焊盘的多层金属层形成阶梯状结构，并在所述半导体衬底的背面形成绝缘层，所述绝缘层暴露所述阶梯状结构的各个台阶表面；在所述绝缘层以及所述阶梯状结构表面形成布线金属层，所述布线金属层与所述阶梯状结构的每层金属层接触；在所述布线金属层表面形成保护层，并刻蚀所述保护层形成暴露出所述布线金属层的多个开口；以及在所述开口中设置凸点。