[发明专利]GaP表面粗化的AlGaInP基LED及其制造方法有效
| 申请号： | 201510960558.9 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105428485B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 徐洲;杨凯;何胜;李波;李俊承;林鸿亮;赵宇;徐培强;张永;张双翔 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | GaP表面粗化的AlGaInP基LED及其制造方法，属于半导体技术领域，在GaAs衬底上生长形成外延片，在p型GaP窗口层表面制备欧姆接触点；将外延片浸入粗化液中，使裸露的p型GaP窗口层表面粗化；在p型GaP窗口层表面形成电流扩展层；再形成主电极图形窗口、完成主电极的制作、在衬底背面蒸镀背电极。本发明在GaP表面制备欧姆接触点；无掩膜条件下，直接将外延片浸入粗化液中，使裸露的p型GaP窗口层表面粗化，达到了湿法腐蚀粗化p型GaP窗口层表面的效果；沉积ITO膜作为电流扩展层。本发明工艺简单，可提高电光转换效率，LED材料本身吸收的光减少，可延长LED的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | gap 表面 algainp led 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.GaP表面粗化的AlGaInP基LED，从下至上依次为背电极、GaAs衬底、GaAs缓冲层、DBR反射镜层、n型限制层、MQW多量子阱有源层、p型限制层、p型GaP窗口层和ITO电流扩展层和主电极；其特征在于p型GaP窗口层朝向ITO电流扩展层一侧呈粗化状，在p型GaP窗口层与ITO电流扩展层之间设置欧姆接触点；所述欧姆接触点的材料为Au、Pt、Ti、Cr、Al、Ni、AuBe、AuZn、AuGe或AuGeNi中的至少任意一种。
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