[发明专利]一种生长氮化镓晶体的复合衬底及其制备方法有效
| 申请号： | 201510959527.1 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105576086B | 公开（公告）日： | 2017-11-07 |
| 发明（设计）人： | 陈庆;孙丽枝;叶任海 | 申请（专利权）人： | 曹胜伟 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02;C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 台州蓝天知识产权代理有限公司33229 | 代理人： | 王卫兵 |
| 地址： | 318000 浙江省台州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于半导体材料外延生长的衬底，特别涉及一种生长氮化镓晶体的复合衬底及其制备方法。该复合衬底材料由掺杂蓝宝石基底和覆盖在掺杂蓝宝石基底上的导电层组成，其中掺杂蓝宝石基底由石墨烯和稀土金属掺杂蓝宝石组成，导电层是含有高熔点金属或合金的薄片，通过真空处理使导电层与掺杂蓝宝石基底键合在一起，冷却即得生长氮化镓晶体的复合衬底。本发明采用掺杂改性的蓝宝石作为基底，解决了普通蓝宝石衬底用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 氮化 晶体 复合 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种生长氮化镓晶体的复合衬底，其特征在于由掺杂蓝宝石基底和覆盖在掺杂蓝宝石基底上的导电层组成，其中所述的掺杂蓝宝石基底由石墨烯和稀有金属掺杂蓝宝石组成；所述导电层为含有Ti、Ag、V、Cu、W、Mo、Nd中的一种金属或合金材料的薄片；所述稀有金属由稀有金属元素盐三氯化铟、硝酸镧、硝酸钼、钨酸钠中的至少一种提供。
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