[发明专利]覆有荧光体层的光半导体元件和其制造方法在审
| 申请号： | 201510955211.5 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105720173A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 松田广和;常诚;吉田直子 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供覆有荧光体层的光半导体元件和其制造方法。一种覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，具备：光半导体元件、覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种覆有荧光体层的光半导体元件，其特征在于，具备：光半导体元件、覆盖所述光半导体元件的荧光体层、和覆盖所述荧光体层的至少一部分的透明层。
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