[发明专利]一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201510952655.3 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN106904600B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;汪子文;戴家赟;王刚;郑晓虎;薛忠营;张苗;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于所述绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）以所述锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的连续石墨烯。本发明通过绝缘衬底上锗薄膜催化生长石墨烯，并在生长的同时将锗薄膜蒸发去除，获得绝缘体上单层连续石墨烯，克服了传统工艺采用转移方法制备绝缘体上石墨烯所带来的如污染、皱褶等影响，提高了绝缘体上石墨烯材料的质量及性能。采用本发明的方法可以获得大面积单层连续石墨烯。本发明步骤简单，效果显著，在石墨烯制备领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 绝缘 锗薄膜 石墨烯 绝缘体 制备 连续石墨 单层石墨烯 单层 去除 生长 蒸发 石墨烯材料 传统工艺 皱褶 催化剂 沉积 催化 污染 应用 | ||
【主权项】：
1.一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，其特征在于，所述方法包括步骤：步骤1)，提供一绝缘衬底，于所述绝缘衬底上沉积锗薄膜；步骤2)，以所述锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的连续石墨烯，所述高温的温度范围为850～937℃。
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