[发明专利]一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201510952653.4 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN106904599B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 狄增峰;汪子文;戴家赟;王刚;郑晓虎;薛忠营;张苗;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）采用光刻刻蚀工艺于锗薄膜中刻蚀出所需图形，形成图形锗薄膜；以及步骤3）以所述图形锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，图形锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的图形石墨烯。本发明通过在绝缘衬底上制备锗薄膜，并光刻刻蚀所述锗薄膜形成所需图形后，催化生长石墨烯，并在生长的同时将锗薄膜蒸发去除，获得绝缘体上图形石墨烯，克服了采用光刻刻蚀工艺对石墨烯进行刻蚀所带来的光刻胶等污染，提高了绝缘体上图形石墨烯材料的质量及性能。采用本发明的方法可以获得质量很高的图形石墨烯。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 锗薄膜 衬底 绝缘 制备 绝缘体 刻蚀 去除 生长 蒸发 石墨烯材料 光刻胶 催化剂 沉积 催化 污染 | ||
【主权项】：
1.一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法，其特征在于，所述方法包括步骤：步骤1)，提供一绝缘衬底，于所述绝缘衬底上沉积锗薄膜；步骤2)，采用光刻刻蚀工艺于所述锗薄膜中刻蚀出所需图形，形成图形锗薄膜；步骤3)，以所述图形锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，图形锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的图形石墨烯，所述高温的温度范围为850～937℃。
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