[发明专利]具有双p基区门阴极结构的门极换流晶闸管及其制备方法

摘要

本发明涉及一种具有双p基区门阴极结构的门极换流晶闸管及其制备方法，属于半导体集成电路技术领域，该门极换流晶闸管包括一个以上的元胞，每个元胞包括p+发射极、n’缓冲区、n‑衬底、p基区1、p基区2、p+短基区、n+发射极和阳极金属电极、门极金属电极、阴极金属电极；所述p+发射极、n’缓冲区、n‑衬底、p基区1、p基区2、p+短基区、n+发射极依次排布；所述n+发射极和门极表面，该方法采用传统的沟槽工艺或摒弃挖槽工艺，使得门极金属电极和阴极金属电极处于硅片表面的同一平面。本发明的门极换流晶闸管，由于增加了一层p基区，可以保证J3结较大的反向击穿电压，进而提高外接反向电源的电压，从而提高换流速度，增大GCT芯片的关断能力。

主权项

1.一种双p基区门阴极结构的门极换流晶闸管，其特征在于，所述门极换流晶闸管包括从阳极到阴极依次排列的p+发射极(阳极)、n’缓冲区、n-衬底、第一p基区(1)、p+短基区、第二p基区(2)、n+发射极；所述阴极电极设置在所述n+发射极外表面，所述门极金属电极设置在所述p+短基区的外表面；所述门极换流晶闸管的门极包括第一p基区(1)、第二p基区(2)和p+短基区；所述第二p基区(2)与n+发射极构成J3结；所述第一p基区(1)位于p+短基区下方，与n-衬底构成阻断结J2结。