[发明专利]高稳定性聚氨基甲酸酯抛光垫在审
| 申请号： | 201510938186.X | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105710762A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | B·钱;G·C·雅各布;K-M·蔡 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司;陶氏环球技术有限责任公司 |
| 主分类号： | B24B37/24 | 分类号： | B24B37/24;C08G18/66;C08G18/32;C08G18/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆蔚;陈哲锋 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种适用于对半导体、光学和磁性衬底中的至少一者进行平面化的抛光垫。所述抛光垫是由异氰酸酯封端的分子和固化剂形成的浇注聚氨基甲酸酯聚合基质。所述浇注聚氨基甲酸酯聚合基质在所述异氰酸酯封端的分子中含有4.2到7.5重量％流体填充微球体。所述流体填充微球体是聚合的并且平均直径是10到80μm，并且所述抛光垫的修整器灵敏度(CS)是0到2.6。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定性 氨基甲酸酯 抛光 | ||
【主权项】：
一种适用于对半导体、光学和磁性衬底中的至少一者进行平面化的抛光垫，所述抛光垫包含由异氰酸酯封端的分子和固化剂形成的浇注聚氨基甲酸酯聚合基质，所述浇注聚氨基甲酸酯聚合基质在所述异氰酸酯封端的分子中含有4.2到7.5重量％流体填充微球体，所述流体填充微球体是聚合的并且平均直径是10到80μm，所述抛光垫的修整器灵敏度(CS)是0到2.6，CS如下定义：![]()
其中CS定义为75％原位修整下的毯覆式TEOS去除速率(RR75％原位修整)与50％原位修整下的毯覆式TEOS去除速率(RR50％原位修整)的差值除以50％部分原位修整下的毯覆式TEOS去除速率，使用12.5wt％浓度的pH是10.5的具有0.1μm平均粒度的烟雾状二氧化硅浆料，以及修整器下压力是9lbs(或4.08Kg)的具有150μm平均粒度、400μm节距和100μm突起的金刚石修整器。
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