[发明专利]一种石墨烯硅太阳能电池及制备方法

摘要

本发明提供了一种石墨烯硅太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池的结构从下至上依次包括铜胶带基底层，液态镓铟合金电极层，N型硅片层，二氧化硅层，PMMA层（聚甲基丙烯酸甲酯）保护下的石墨烯透明电极层，银导电胶电极层。本发明技术方案能够获得高效率的石墨烯硅太阳能电池，具有较多的优点：首先通过调节石墨烯转移保护层PMMA的厚度，选择不去保护层PMMA的方法转移石墨烯避免了原有转移方法去保护层的过程中对石墨烯产生的破坏；其次保留PMMA层不仅在转移过程中较好的保护了石墨烯的性质，同时也对石墨烯进行P型掺杂，增大了石墨烯的功函数，从而有效地提高了石墨烯硅太阳能电池的开路电压；最后保留的PMMA层也具有增透膜的优点，在相同能量的光照下，此类型的太阳电池显著地提高了石墨烯硅太阳能电池的量子效率以及能量转换效率。

主权项

一种石墨烯硅太阳能电池，其器件结构从下至上依次包括铜胶带基底层（1），液态镓铟合金电极层（2），N型硅片层（3），氧化硅层（4），石墨烯透明电极层（5），PMMA层（6），银导电胶电极层（7）。