[发明专利]一种氧化镁晶体粉制备方法在审
| 申请号： | 201510931207.5 | 申请日： | 2015-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN105329922A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 曾卫军 | 申请（专利权）人： | 营口镁质材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C01F5/02 | 分类号： | C01F5/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 115000 辽宁省营口市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镁晶体粉制备方法，使用高纯氧化镁为原料，采用球磨水化获得浆体，球磨水化的用水量与氧化镁的重量比大于1:2，水化温度在50～100℃之间；球磨水化过程中需要加入表面活性剂。在100～150℃之间对浆体进行干燥、烧结温度1600～1750℃，停留2～30小时；烧结后降温速率为20～100℃每小时，400℃后自然降温烧结后降温。最后将所得物料粉粹来获得氧化镁晶体粉。本发明制备过程中具有原料损耗低、流程简单、低能耗的特点，可广泛应用于氧化镁晶体粉的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化镁 晶体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化镁晶体粉制备方法，其特征在于，使用高纯氧化镁为原料，采用球磨水化、干燥、烧结后降温、粉粹来获得氧化镁晶体粉。
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