[发明专利]LTE天线结构在审

专利信息
申请号: 201510927437.4 申请日: 2015-12-14
公开(公告)号: CN106876997A 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 詹驭钤 申请(专利权)人: 亚旭电脑股份有限公司
主分类号: H01Q5/335 分类号: H01Q5/335
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 代理人: 马雯雯,臧建明
地址: 中国台湾新北市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供一种LTE天线结构,包括低频辐射件、高频辐射件、短路件、馈入端以及阻抗匹配单元第一连接区段及第二连接区段。阻抗匹配单元的第一端连接所述低频辐射件,阻抗匹配单元的第二端连接馈入端,其中,阻抗匹配单元用以改变馈入端的电感性,以在有限的天线配置空间内有效提高LTE天线结构在低频段的带宽,可到达更低的频率,进而使LTE天线结构更符合通信的需求。本发明藉由连接于馈入端与低频辐射件之间的阻抗匹配单元来改变馈入端的串联电感性,以在有限的天线配置空间内有效提高LTE天线结构在低频段的带宽,而有助于应用LTE天线结构的电子装置在微型化上的发展。
搜索关键词: lte 天线 结构
【主权项】:
一种LTE天线结构,其特征在于,包括:一短路件,连接一接地端;一馈入端;一低频辐射件,提供一第一共振路径,其中所述低频辐射件对应工作于一低频频段;一第一连接区段,具有第一端及第二端,所述第一连接区段的第一端连接所述馈入端,所述第一连接区段的第二端连接所述短路件;一第二连接区段,具有第一端及第二端,所述第二连接区段的第一端连接所述第一连接区段的第二端,所述第二连接区段的第二端连接所述低频辐射件,所述第一连接区段与所述第二连接区段提供所述第一共振路径;一高频辐射件,连接所述馈入端的第一端,所述高频辐射件提供一第二共振路径,其中所述高频辐射件对应一第二频段;以及一阻抗匹配单元,具有一第一端及一第二端,所述第一端连接所述低频辐射件,所述第二端连接所述馈入端,所述阻抗匹配单元调整所述电感性,而调整所述低频频段的带宽,以抵销所述馈入端的串联电感性;其中所述接地端位于所述短路件的第二端,所述馈入端、所述短路件与所述第一连接区段形成一电流回路。
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