[发明专利]薄膜砷化镓太阳电池衬底复用的衬底保护结构及加工工艺

摘要

本发明公开了一种薄膜砷化镓太阳电池衬底复用的衬底保护结构及加工工艺，上述衬底保护结构包括GaAs电池、牺牲层、GaInP碱性保护层、GaInAs酸性保护层、GaInP碱性保护层、GaInAs酸性保护层、GaInP碱性保护层、GaInAs酸性保护层、GaInP碱性保护层、GaInAs酸性保护层、GaInP碱性保护层、GaInAs酸性保护层、GaAs缓冲层、GaAs衬底。所述GaAs衬底为n型掺杂的GaAs衬底，GaAs衬底的厚度范围为200～700微米，掺杂浓度为1×1017—1×1018cm‑3；所述GaAs缓冲层的厚度范围为200～1000nm；所述牺牲层的厚度范围为20～100nm。

主权项

一种薄膜砷化镓太阳电池衬底复用的衬底保护结构，其特征在于：包括：GaAs衬底(14)，生长于GaAs衬底(14)上的GaAs缓冲层(13)，生长于GaAs缓冲层(13)上的第五GaInAs酸性保护层(12)，生长于第五GaInAs酸性保护层(12)上的第五GaInP碱性保护层(11)，生长于第五GaInP碱性保护层(11)上的第四GaInAs酸性保护层(10)，生长于第四GaInAs酸性保护层(10)上的第四GaInP碱性保护层(9)，生长于第四GaInP碱性保护层(9)上的第三GaInAs酸性保护层(8)，生长于第三GaInAs酸性保护层(8)上的第三GaInP碱性保护层(7)，生长于第三GaInP碱性保护层(7)上的第二GaInAs酸性保护层(6)，生长于第二GaInAs酸性保护层(6)上的第二GaInP碱性保护层(5)，生长于第二GaInP碱性保护层(5)上的第一GaInAs酸性保护层(4)，生长于第一GaInAs酸性保护层(4)上的第一GaInP碱性保护层(3)，生长于第一GaInP碱性保护层(3)上的牺牲层(2)，生长于牺牲层(2)上的GaAs电池(1)；所述牺牲层(2)为AlAs层或AlxGa1‑xAs中的一种；其中：所述GaAs衬底(14)为n型掺杂的GaAs衬底，GaAs衬底(14)的厚度范围为200～700微米，掺杂浓度为1×1017—1×1018cm‑3；所述GaAs缓冲层(13)的厚度范围为200～1000nm；所述第五GaInAs酸性保护层(12)、第五GaInP碱性保护层(11)、第四GaInAs酸性保护层(10)、第四GaInP碱性保护层(9)、第三GaInAs酸性保护层(8)、第三GaInP碱性保护层(7)、第二GaInAs酸性保护层(6)、第二GaInP碱性保护层(5)、第一GaInAs酸性保护层(4)、第一GaInP碱性保护层(3)的厚度范围都是50～200nm；所述牺牲层(2)的厚度范围为20～100nm；0.6≤x。