[发明专利]合成气净化系统和方法有效

专利信息
申请号: 201510922575.3 申请日: 2012-09-27
公开(公告)号: CN105584991B 公开(公告)日: 2019-05-14
发明(设计)人: R.钱德兰;D.M.利奥;S.R.弗雷塔斯;D.G.纽波特;H.S.M.怀特尼;D.A.伯西亚加 申请(专利权)人: 国际热化学恢复股份有限公司
主分类号: C01B3/52 分类号: C01B3/52;C01B3/56
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 刘海
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一个用于处理未处理合成气的系统和方法,首先去除固体和半挥发性有机化合物(SVOC),然后去除挥发性有机化合物(VOC),再然后从合成气中去除至少一种含硫化合物。根据以下因素例如被处理的合成气的来源,希望形成、捕捉或循环的产品、副产品和中间产物,以及环境的考虑,可以进行额外的步骤。
搜索关键词: 合成气 净化系统 方法
【主权项】:
1.一种用于处理其中含有固体和半挥发性有机化合物(SVOC)的未处理合成气的系统,包括:烃重整器(8000),其与未处理的合成气源相连并运行输出质量改善的合成气;位于所述烃重整器(8000)下游的半挥发性有机化合物(SVOC)分离系统,所述SVOC分离系统包括文丘里洗涤器(8100)和焦炭洗涤器(8125)并经配置为输出含有相对于未处理合成气更少量固体和SVOC的第一贫化合成气流;位于洗涤器下游的一个合成气压缩器(8600),并经配置为输出经压缩的第一贫化合成气流;位于所述合成气压缩器下游的挥发性有机化合物(VOC)分离系统,所述VOC分离系统包括两个(8625A,8625B)或两个以上吸附器并经配置为输出含有相对于第一贫化合成气流更少量VOC的第二贫化气流;位于所述VOC分离系统下游的一个羰基硫水解床(8875),经配置为移除羰基硫以生成相对于第二贫化合成气流更少量羰基硫的第三贫化合成气流;和位于所述羰基硫水解床下游的一个硫保护床,经配置为移除至少一种硫化合物以生成相对于第二和第三贫化合成气流更少量硫的硫贫化合成气流。
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