[发明专利]MEMS电容式超声波传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510921394.9 | 申请日： | 2015-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN105540528A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王小青;宁瑾;俞育德;魏清泉;刘文文;刘元杰;蒋莉娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C3/00;G01H11/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种MEMS电容式超声波传感器及其制备方法，该MEMS电容式超声波传感器，包括：一玻璃衬底，该玻璃衬底的中间为下凹的空腔，在该空腔的两侧上分别开有凹槽；一下电极，其制作在玻璃衬底下凹的空腔底部；一顶层硅，其制作在玻璃衬底上，且覆盖在空腔上，该顶层硅13为振动膜；一上电极，其制作在顶层硅的下表面，且位于空腔的上方，与下电极对应；一保护层，其制作在玻璃衬底两侧的凹槽内，且覆盖顶层硅和玻璃衬底，该凹槽内的保护层内还开有一窗口；其中该上引出电极和下引出电极分别与上电极和下电极连接。本发明可减小寄生电容和提高传感器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | mems 电容 超声波传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS电容式超声波传感器，包括：一玻璃衬底，该玻璃衬底的中间为下凹的空腔，在该空腔的两侧上分别开有凹槽；一下电极，其制作在玻璃衬底下凹的空腔底部；一顶层硅，其制作在玻璃衬底上，且覆盖在空腔上，该顶层硅13为振动膜；一上电极，其制作在顶层硅的下表面，且位于空腔的上方，与下电极对应；一保护层，其制作在玻璃衬底两侧的凹槽内，且覆盖顶层硅和玻璃衬底，该凹槽内的保护层内还开有一窗口；其中该上引出电极和下引出电极分别与上电极和下电极连接。
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