[发明专利]半导体装置的制法有效
| 申请号： | 201510903826.3 | 申请日： | 2011-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN105551980B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 岩重朝仁;市川智昭;杉本直哉;襖田光昭;保手滨洋幸;秋月伸也 | 申请（专利权）人： | 日立化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29;C08L63/00;C08G59/68;C08G59/62;C08G59/50 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
提供半导体装置的制法，其为不会降低成型性及固化性、高温高湿可靠性优异的半导体装置的制法，使用含下述(A)～(D)成分的半导体密封用环氧树脂组合物对半导体元件树脂密封，在树脂密封后施加加热处理工序，此加热处理在下述(x)所示条件下进行。(A)下述通式(1)所示的环氧树脂。 |
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| 搜索关键词： | 半导体装置 热处理 式( 1 ) 制法 加热处理 树脂密封 环氧树脂 胺系固化促进剂 环氧树脂组合物 无机质填充剂 半导体密封 半导体元件 热处理条件 酚醛树脂 高温高湿 关系满足 成型性 固化性 单键 施加 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制法，其特征在于，其为使用含有下述的(A)～(D)成分以及脱模剂的半导体密封用环氧树脂组合物对半导体元件进行树脂密封从而制造半导体装置的方法，在树脂密封以及后固化之后施加加热处理工序，此加热处理在下述(x)所示的条件下进行，(A)下述的通式(1)所示的环氧树脂，[化学式1]![]()
上述式(1)中，X为单键、‑CH2‑、‑S‑或‑O‑，另外，R1～R4为‑H或‑CH3并且相互可以相同也可以不同，(B)酚醛树脂，(C)胺系固化促进剂，(D)无机质填充剂，(x)由热处理时间t分钟与热处理温度T℃的关系满足t≥3.3×10‑5exp(2871/T)的区域构成的热处理条件，其中，185℃≤热处理温度T℃≤300℃，热处理时间t分钟≦180分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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