[发明专利]一种DDR3快速测量方法在审
| 申请号： | 201510903515.7 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105489249A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 张晓;付猛猛 | 申请（专利权）人： | 浪潮电子信息产业股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56;G11C29/08 |
| 代理公司： | 济南信达专利事务所有限公司 37100 | 代理人： | 姜明 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种DDR3快速测量方法，属于服务器硬件和PC硬件测量技术领域。所述DDR3快速测量方法包括DDR3快速测量设备，所述DDR3快速测量设备上设有电源PVPP、电源PVTT、电源PVDDQ及GND的测试点位，其测试步骤为：1）将待检测内存安装在DDR3快速测量设备的测试位点上；2）用该测量设备检测内存单体各电源与地之间的阻抗情况；3）当测量的阻抗超过规定的目标值认为内存存在单体异常，将异常内存单体单独放置作为异常品处理；4）当测量的阻抗值符合规定的目标值时，认为内存正常，可以将内存用在板卡上；其中，所述测试步骤在内存上板卡之前完成。本发明所述方法，能准确的检测出内存是否合格，具有很好的推广应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ddr3 快速 测量方法 | ||
【主权项】：
一种DDR3快速测量方法，其特征在于：包括DDR3快速测量设备，所述DDR3快速测量设备上设有电源PVPP、电源PVTT、电源PVDDQ及GND的测试点位，其测试步骤为：1）将待检测内存安装在DDR3快速测量设备的测试位点上；2）用该测量设备检测内存单体各电源与地之间的阻抗情况；3）当测量的阻抗超过规定的目标值认为内存存在单体异常，将异常内存单体单独放置作为异常品处理；4）当测量的阻抗值符合规定的目标值时，认为内存正常，可以将内存用在板卡上；其中，所述测试步骤在内存上板卡之前完成。
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