[发明专利]单晶硅生长超声波控氧技术有效
| 申请号： | 201510899269.2 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105483817B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 张俊宝;宋洪伟 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明技术是一种单晶硅生长超声波控氧技术；在硅熔体的表面引入一组超声波，超声波振头均匀分布在与硅单棒和坩埚同轴的圆上。超声波振头之间的距离为振头到坩埚壁距离的1.5‑2倍。超声波振头由高纯石英材料制成，伸入到硅熔体表面以下10‑15mm开，并在晶体生长过程中始终保持同一深度。在硅单晶等径生长过程中，引入超声波振荡，抑制坩埚附近的高氧浓度区的热自然对流，加速晶转引起的硅熔体从中心向四周的流动，促进氧在自由表面的挥发，同时降低熔体中的Si‑O气体的溶解度，促进Si‑O在熔体表面的挥发，从而控制晶体中的氧含量。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 超声波 技术 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅生长超声波控氧方法，在硅熔体的表面引入一组超声波，超声波振头均匀分布在与硅单棒和坩埚同轴的圆上；超声波振头之间的距离为振头到坩埚壁距离的1.5‑2.0倍； 超声波振头由高纯石英材料制成，伸入到硅熔体表面以下10‑15mm，并在晶体生长过程中始终保持同一深度；在硅单晶等径生长过程中，引入超声波振荡，抑制坩埚附近的高氧浓度区的热自然对流，加速晶转引起的硅熔体从中心向四周的流动，促进氧在自由表面的挥发，同时降低熔体中的Si‑O气体的溶解度，促进Si‑O在熔体表面的挥发，从而控制晶体中的氧含量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海超硅半导体有限公司，未经上海超硅半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510899269.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种溴铅铯单晶制备方法
- 下一篇：一种能够收集有害气体的电镀槽
