[发明专利]超结半导体器件及其制造方法

摘要

公开了超结半导体器件及其制造方法。该超结半导体器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的堆叠的多个第一外延半导体层；分别位于多个第一外延半导体层中的多个第二外延半导体层；位于最顶部的第一外延半导体层中的体区；位于体区中的源区；以及位于体区上方的栅极叠层，栅极叠层至少位于在源区和最顶部的第二外延半导体层之间的区域，包括栅极电介质和栅极导体，栅极电介质夹在栅极导体和体区之间，其中，多个第二外延半导体层分别填充多个第一外延半导体层中的沟槽，并且彼此连接成半导体柱作为电荷补偿区。该方法通过改进电荷补偿区的制造工艺实现简化制造工艺和改善电性能。

主权项

一种超结半导体器件的制造方法，包括：在半导体衬底上形成堆叠的多个第一外延半导体层，所述多个第一外延半导体层分别为第一掺杂类型，所述半导体衬底作为漏区；在所述多个第一外延半导体层中，分别形成多个第二外延半导体层，所述多个第二外延半导体层分别为第二掺杂类型；在最顶部的第一外延半导体层中，形成第二掺杂类型的体区；在所述体区中形成第一掺杂类型的源区；以及在所述体区上方，至少在所述源区和最顶部的第二外延半导体层之间的区域形成栅极叠层，所述栅极叠层包括栅极电介质和栅极导体，使得所述栅极电介质夹在所述栅极导体和所述体区之间，其中，所述多个第二外延半导体层分别填充所述多个第一外延半导体层中的沟槽，并且彼此连接成半导体柱作为电荷补偿区。