[发明专利]低温多晶硅TFT基板的制作方法

摘要

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，在多晶硅层两侧形成N型重掺杂区域后，依次形成第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极，且第二栅极的宽度大于第一栅极的宽度，以制作出多晶硅层中的低电场区域，从而起到减小漏电流的作用；或者先形成第一栅极、第一栅极绝缘层，在第一栅极绝缘层上形成多晶硅层及N型重掺杂区域，再形成第二栅极绝缘层、第二栅极，且第二栅极绝缘层的厚度大于第一栅极绝缘层的厚度，第二栅极的宽度大于第一栅极的宽度，以使得第二栅极超出第一栅极的部分和多晶硅层夹杂的第二栅极绝缘层的厚度较厚，产生的电场较小，从而起到减小漏电流的作用；简化了工艺流程，降低了生产成本。

主权项

一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积缓冲层(2)；步骤2、在所述缓冲层(2)上沉积非晶硅层，对所述非晶硅层进行去氢处理后，通过结晶制程使其转变为多晶硅层，对所述多晶硅层进行图案化处理，得到岛状多晶硅层(3)；步骤3、在所述岛状多晶硅层(3)上涂覆光阻，对所述光阻进行曝光、显影后形成光阻层(30)；以所述光阻层(30)为遮蔽层，对所述岛状多晶硅层(3)两侧进行离子植入，形成位于所述岛状多晶硅层(3)两侧的N型重掺杂区域(31)及位于两个N型重掺杂区域(31)之间的未掺杂区域(32)，之后剥离所述光阻层(30)；步骤4、在所述岛状多晶硅层(3)上沉积第一栅极绝缘层(41)，在所述第一栅极绝缘层(41)上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，得到对应所述未掺杂区域(32)上方的第一栅极(51)，且所述第一栅极(51)的宽度小于所述未掺杂区域(32)的宽度；步骤5、在所述第一栅极绝缘层(41)、及第一栅极(51)上沉积第二栅极绝缘层(42)，在所述第二栅极绝缘层(42)上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，得到对应所述第一栅极(51)上方的第二栅极(52)，所述第二栅极(52)的宽度等于所述未掺杂区域(32)的宽度，且所述第二栅极(52)的两端均超出所述第一栅极(51)的两端一段距离，从而在所述未掺杂区域(32)上被所述第一栅极(51)与第二栅极(52)进行双重覆盖的区域形成具有强电场的沟道区(321)，在所述未掺杂区域(32)的两侧仅被所述第二栅极(52)覆盖的区域形成低电场区(322)；步骤6、在所述第二栅极绝缘层(42)与第二栅极(52)上沉积层间绝缘层(6)；通过黄光制程在所述层间绝缘层(6)、第一栅极绝缘层(41)、及第二栅极绝缘层(42)上对应所述岛状多晶硅层(3)两侧的N型重掺杂区域(31)的上方形成过孔(61)；步骤7、在所述层间绝缘层(6)上沉积第三金属层，对所述第三金属层进行图案化处理，得到源/漏极(7)，所述源/漏极(7)经由所述过孔(61)与所述岛状多晶硅层(3)两侧的N型重掺杂区域(31)相接触。