[发明专利]一种与三维培养相结合的transwell微流控芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510873494.9 申请日: 2015-12-02
公开(公告)号: CN106811415B 公开(公告)日: 2019-04-30
发明(设计)人: 秦建华;朱玉娟;尹方超;李中玉 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: C12M3/06 分类号: C12M3/06
代理公司: 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 代理人: 张晨
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种与三维培养相结合的transwell微流控芯片及其制备方法,该微流控芯片主要由顶层芯片、多孔滤膜、中间层芯片,底层芯片组成,多孔滤膜通过不可逆封接顶层芯片的下表面,然后通过PDMS粘合中间芯片的上表面。底层培养室的坑状结构用于体外细胞、组织和器官的三维培养。该微流控芯片同时具有transwell小室、微流控芯片以及体外三维培养的功能,并可以实时观察底层芯片的细胞生长状况,可应用于药物代谢、器官发育等生物学研究。
搜索关键词: 微流控芯片 三维培养 芯片 底层芯片 多孔滤膜 顶层 制备 细胞生长状况 生物学研究 器官发育 实时观察 体外细胞 药物代谢 不可逆 培养室 上表面 下表面 中间层 粘合 封接 坑状 体外 器官 应用
【主权项】:
1.一种与三维培养相结合的transwell微流控芯片,其特征在于:该微流控芯片主要由顶层芯片(1)、多孔滤膜(2)、中间层芯片(3)、底层芯片(4)组成;所述顶层芯片(1)上设有顶层细胞培养室(5),所述中间层芯片(3)由细胞入口(7)、细胞出口(8)、中间层细胞培养室(6)和中间层线型通道(9)组成,细胞入口(7)、细胞出口(8)和中间层细胞培养室之间通过中间层线型通道(9)连接在一起;所述底层芯片(4)由底层线型通道(10)和坑状结构(11)组成,多孔滤膜(2)通过不可逆封接顶层芯片的下表面,所述中间层芯片(3)和底层芯片(4)进行不可逆的氧等离子封接,中间层线型通道(9)和底层线型通道(10)相对应连通;所述多孔滤膜通过PDMS粘合中间芯片的上表面;封接后的芯片顶层细胞培养室(5)和中间层细胞培养室(6)位置相对应,中间层芯片(3)和底层芯片(4)共用细胞培养的细胞入口(7)和细胞出口(8);层芯片的线型通道(10)结构延长至多孔滤膜(2)区域外,便于实时观察。
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