[发明专利]二极管元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种二极管元件及其制造方法。二极管元件包括基板、位于基板上的磊晶层、沟槽式栅极结构、肖特基二极管结构及终端结构。磊晶层定义一主动区及一终止区。肖特基二极管结构与沟槽式栅极结构皆位于主动区，而终端结构位于终止区。终端结构包括终端沟槽、终端绝缘层、第一间隙壁、第二间隙壁及第一掺杂区。终端沟槽形成于磊晶层中。终端绝缘层顺形地覆盖于终端沟槽的内壁面。第一间隙壁与第二间隙壁分别位于终端沟槽的两侧壁面。第一掺杂区形成于终止区，并位于终端结构下方，其中第一掺杂区与磊晶层具有相反的导电型。本发明可改变电场分布，从而提高肖特基二极管的反向崩溃电压，并降低反向漏电流。

主权项

1.一种二极管元件，其特征在于：一基板；一磊晶层，设置于所述基板上，其中所述磊晶层定义一主动区及一邻近所述主动区的终止区；一沟槽式栅极结构，位于所述主动区；一肖特基二极管结构，位于所述主动区；以及一终端结构，位于所述终止区，其中所述终端结构包括：一终端沟槽，形成于所述磊晶层中，其中所述终端沟槽的内壁面包括一靠近所述主动区的第一侧壁面及一与所述第一侧壁面相对并远离所述主动区的第二侧壁面；一终端绝缘层，顺形地覆盖于所述终端沟槽的内壁面，所述终端绝缘层包括两个分别位于所述第一侧壁面及所述第二侧壁面上的侧壁氧化层；一第一间隙壁，位于所述终端沟槽内，并叠设于其中一所述侧壁氧化层上，其中所述第一间隙壁紧靠所述第一侧壁面，其中，所述第一间隙壁包括一第一半导体层及一第一绝缘层，所述第一半导体层的下半部具有一缺口，且所述第一绝缘层填入所述缺口内；一第二间隙壁，位于所述终端沟槽内，并叠设于另一所述侧壁氧化层上，其中所述第二间隙壁紧靠所述第二侧壁面；及一第一掺杂区，位于所述终端沟槽下方的磊晶层内，其中所述第一掺杂区与所述磊晶层具有相反的导电型，所述第一掺杂区的范围由所述终端沟槽的中央朝所述第一侧壁面延伸至超过所述第一间隙壁与其中一所述侧壁氧化层的一交界面。