[发明专利]一种大粒径Diamond/SiC复合材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种大粒径Diamond/SiC复合材料的制备方法，采用一次成型大粒径金刚石预制体与CVI工艺结合的方法，制得Diamond/SiC复合材料。采用该方法提高了复合材料中金刚石的粒径和体积含量，从而有效的提高了复合材料的热导率。使得热导率较之流延结合CVI方法制备的复合材料提高约30％。不仅如此，该方法生产工艺简单、可控，可用于工业化生产。

主权项

一种大粒径Diamond/SiC复合材料的制备方法，其特征在于步骤如下：步骤1：将56％～66％质量分数的金刚石粉料、0.35％～1.38％质量份数的防沉增稠剂、3.5％～4.2％质量份数的聚乙烯醇缩丁醛和30.3％～38.3％质量份数的溶剂混合球磨后得到浆料；所述溶剂为1∶1质量比的无水乙醇和丁酮的混合溶剂；所述各组份的质量总和为百分之百；步骤2：将混合好的浆料倒入模具中，待其在空气环境下自然干燥后，脱模后制得厚度约为2‑3mm的金刚石预制体；所述模具的内表面涂刷脱模剂；步骤3：将金刚石预制体采用石墨夹具后，放入化学气相渗透炉CVI炉进行化学气相渗透制备得到Diamond/SiC复合材料；当Diamond/SiC复合材料表面出现SiC壳层后，将其表面的SiC壳层打磨掉后继续进行沉积，直至Diamond/SiC复合材料的密度达到约3.1g/cm³。