[发明专利]用于在集成电路的有源区上制造接触的方法以及集成电路

摘要

本发明的各个实施例涉及：在例如在SOI衬底上(尤其是FDSOI衬底上)制造的集成电路的有源区上制造接触的方法；以及对应的集成电路。集成电路包括有源区，该有源区位于半导体衬底之上。空腔与有源区接界，并且在绝缘区中尽可能远地延伸到半导体区域的附近。提供绝缘多层，并且导电接触在该绝缘多层内延伸以存在于有源区上并且进入到空腔内。绝缘多层包括第一绝缘层，该第一绝缘层覆盖了在接触外部的有源区并且衬覆空腔的壁。附加绝缘层覆盖了第一绝缘层的衬覆空腔的壁的部分。接触到达在空腔中的附加绝缘层。绝缘区域位于由围绕接触的绝缘材料制成的附加绝缘层和第一绝缘层之上。

主权项

1.一种用于在集成电路的有源区上制造接触的方法，所述有源区位于半导体衬底之上，包括：在所述有源区之上、并且在空腔之中和之上，形成绝缘多层，所述空腔与所述有源区接界、并且在绝缘区中延伸到半导体区域的附近，其中所述形成包括：形成覆盖所述有源区并且衬覆所述空腔的壁的第一绝缘层；以及在所述第一绝缘层之上，形成绝缘区域；蚀刻所述绝缘多层的部分，以便限定出开口到所述有源区上并且进入到所述空腔中的孔口；以及用导电填充材料填充所述孔口；其中形成所述绝缘区域包括：在已经形成所述第一绝缘层之后：形成附加绝缘层，所述附加绝缘层被配置为在所述蚀刻操作期间防止穿透所述第一绝缘层的衬覆所述空腔的所述壁并且定位接近所述半导体区域的区段。