[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本公开提供一半导体装置及其制造方法。该半导体装置制造方法包含在基底上方形成第一导电特征部件，在第一导电特征部件上方形成介电层，在介电层中形成沟槽，在沟槽中形成第一阻挡层，实施热处理将第一阻挡层的第一部分转换成第二阻挡层，在沟槽中暴露出第一导电特征部件，而第二阻挡层的一部分设置于介电层上方，并在沟槽中形成第二导电特征部件。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括:在一基底上方形成一第一导电特征部件；在该第一导电特征部件上方形成一介电层；在该介电层中形成一沟槽，其中该沟槽在其下部具有一第一宽度且在其上部具有一第二宽度，其中该第二宽度大于该第一宽度，其中该第一导电特征部件在该沟槽中暴露出来；在该沟槽中形成一第一阻挡层，其中该第一阻挡层具有设置于该介电层上方的一第一部分和设置于该第一导电特征部件上方的一第二部分；实施一热处理将该第一阻挡层的该第一部分转换成一第二阻挡层；在该热处理之后，通过移除该第一阻挡层的该第二部分，在该沟槽中暴露出该第一导电特征部件，且该第二阻挡层的一部分设置于该介电层上方；以及在暴露出该第一导电特征部件之后，在该沟槽中形成一第二导电特征部件。