[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510860138.3 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106548944B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 范纯祥;林群雄;黄懋霖;李泳达 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/20 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王芝艳;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体装置的制造方法实施例，其包括形成一外延部于一基底上方，外延部包括III‑V族材料。一受损材料层位于外延部的至少一表面上。此方法还包括至少氧化受损材料层的外表面，以形成一氧化层、选择性去除氧化层以及当至少一部份的受损层余留于外延部上时，重复氧化及选择性去除步骤。本发明的半导体装置的制造方法，通过一工艺自外延鳍部的外表面、源极/汲级以及纳米接线去除受损材料层，可改善装置的效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括︰形成一外延部于一基底上方，该外延部包括一III‑V族材料，且一受损材料层位于该外延部的至少一表面上；至少氧化该受损材料层的外表面，以形成一氧化层；选择性去除该氧化层；以及当至少一部份的该受损层余留于该外延部上时，重复该氧化步骤及该选择性去除步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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