[发明专利]硅基中层组合物及相关方法有效
| 申请号： | 201510856712.8 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106024592B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 刘朕与;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于硅基中层组合物及相关方法。根据本发明一实施例，一制造半导体元件的方法包含：于衬底上形成第一材料层，所述第一材料层包含具有烷基的硅基组件；于所述第一材料层上直接形成光阻层；以及将所述光阻层暴露于辐射源之下。 | ||
| 搜索关键词： | 中层 组合 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体元件的方法，包含：于衬底上形成第一层，所述第一层包含具有烷基的硅基组件；于所述第一层上直接形成光阻层；以及将所述光阻层暴露于辐射源之下；其中所述硅基组件包括下列通式(I)或下列通式(II)表示的重复单元：![]()
式中，R1为具有1至10个碳原子的烷基，R2为具有羟基、羧酸基、胺基或其任意组合的有机基团。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
