[发明专利]SIC MOSFET过流短路检测电路及检测保护系统

摘要

本申请提供了一种SIC MOSFET过流短路检测电路及检测保护系统，SIC MOSFET过流短路检测电路包括：第一电阻、第二电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第二十九电阻、第三十电阻、第三电容、第一二极管、第二二极管、第四二极管、第五二极管、第二三极管和开关扩流器件。在本申请中，使用具有比Sic MOSFET更快的开关速度的开关扩流器件，在Sic MOSFET完全开通后，开关扩流器件能够快速开通，使检测电路能够快速响应以快速进入检测阶段，能够快速检测到SIC MOSFET是否发生过流短路现象，提高了检测速度，从而提高了过流短路保护短路对SIC MOSFET的保护速度。

主权项

一种SIC MOSFET过流短路检测电路，其特征在于，包括：第一电阻、第二电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第二十九电阻、第三十电阻、第三电容、第一二极管、第二二极管、第四二极管、第五二极管、第二三极管和开关扩流器件；所述第一电阻的第一端与待检测SIC MOSFET所属驱动电路单元的PWM信号输出端相连，所述第一电阻的第一端分别与所述第一二极管的阴极和所述第二二极管的阴极相连，所述第一电阻的第二端分别与所述第一二极管的阳极、所述第二电阻的第一端和所述开关扩流器件的第一端相连，所述第二电阻的第二端接地；所述开关扩流器件的第一端与第六电阻的第一端相连，所述开关扩流器件的第二端与第一驱动隔离电源正压相连，所述开关扩流器件的第三端分别与第十电阻的第一端和所述第六电阻的第二端相连，所述第十电阻的第二端分别与所述第七电阻和所述第五二极管的阳极相连，所述第五二极管的阴极与所述待检测SIC MOSFET的漏极相连；所述第七电阻的第二端分别与所述第八电阻的第一端和所述第二二极管的阳极相连，所述第八电阻的第二端所述第九电阻的第一端相连，所述第九电阻的第一端分别与所述第四二极管的阴极和所述第二三极管的发射极相连，所述第四二极管的阳极接地，所述第九电阻的第二端分别与所述第二十九电阻的第一端及所述第四二极管的阳极相连，所述第二十九电阻的第二端分别与所述第三十电阻的第一端和所述第二三极管的基极相连，所述第三十电阻的第二端与第二驱动隔离电源正压相连，所述第二三极管的集电极与所述待检测SIC MOSFET的过流短路保护输出电路相连，所述第三电容与所述第二十九电阻并联。