[发明专利]具有多个间隔件的栅极结构及其制造方法

摘要

提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的浮置栅极结构。半导体结构还包括形成在浮置栅极结构上方的介电结构和形成在介电结构上方的控制栅极结构。半导体结构还包括形成在控制栅极结构的侧壁的下部上方的第一间隔件；以及形成在控制栅极结构的侧壁的上部上方的上部间隔件。此外，控制栅极结构的一部分与上部间隔件直接接触。本发明实施例涉及具有多个间隔件的栅极结构及其制造方法。

主权项

1.一种半导体结构，包括：衬底；浮置栅极结构，形成在所述衬底上方；介电结构，形成在所述浮置栅极结构上方；控制栅极结构，形成在所述介电结构上方；第一间隔件，形成在所述控制栅极结构的侧壁的下部上方；上部间隔件，形成在所述控制栅极结构的侧壁的上部上方，其中，所述控制栅极结构的一部分与所述上部间隔件直接接触；第二间隔件，形成在所述第一间隔件下方以及所述浮置栅极结构的侧壁上方；以及下部间隔件，形成在所述第二间隔件上方以及所述第一间隔件的下部上方。