[发明专利]混合接合焊盘结构有效
| 申请号： | 201510852151.4 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN106298715B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 黄信耀;庄俊杰;王俊智;陈昇照;杨敦年;洪丰基;林永隆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有在集成芯片管芯之间垂直延伸的再分布层的多维集成芯片，其中再分布层横向偏离于背侧接合焊盘。多维集成芯片具有第一集成芯片管芯，第一集成芯片管芯的多个第一金属互连层设置在布置于第一半导体衬底的前侧上的第一层间介电层内。多维集成芯片还具有第二集成芯片管芯，第二集成芯片管芯的多个第二金属互连层设置在与第一ILD层邻接的第二层间介电层内。接合焊盘设置在延伸穿过第二半导体衬底的凹槽内。再分布层在横向偏离于接合焊盘的位置处在多个第一金属互连层与多个第二金属互连层之间垂直延伸。本发明实施例涉及混合接合焊盘结构。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 接合 盘结 | ||
【主权项】：
1.一种多维集成芯片，包括：第一集成芯片管芯，包括布置在设置在第一半导体衬底的前侧上的第一层间介电(ILD)层内的多个第一金属互连层；第二集成芯片管芯，包括布置在设置在第二半导体衬底的前侧上的第二层间介电层内的多个第二金属互连层，其中，所述第一层间介电层邻接所述第二层间介电层；接合焊盘，设置在延伸穿过所述第二半导体衬底的凹槽内；以及再分布结构，在横向偏离于所述接合焊盘的位置处在所述多个第一金属互连层的一个和所述多个第二金属互连层的一个之间垂直延伸。
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