[发明专利]脱气方法有效
| 申请号： | 201510845590.2 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105655234B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 斯蒂芬·R·伯吉斯;安东尼·P·威尔比 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种半导体衬底的脱气方法，所述方法包括：依次将多个半导体衬底装载至脱气装置中；对半导体衬底以并行的方式进行脱气，每个半导体衬底在不同的、与半导体衬底被装载至脱气装置的时间相关的时间开始脱气；以及，当半导体衬底完成脱气后，将所述半导体衬底从所述脱气装置中卸载，而装载顺序靠后的半导体衬底仍然进行脱气；其中，半导体衬底的脱气是在小于10 |
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| 搜索关键词： | 脱气 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底的脱气方法，包括：依次将多个半导体衬底装载至脱气装置中；对半导体衬底以并行的方式进行脱气，每个半导体衬底在不同的、与该半导体衬底被装载至脱气装置的时间相关的时间开始脱气；以及，当半导体衬底完成脱气后，将所述半导体衬底从所述脱气装置中卸载，而装载顺序靠后的半导体衬底仍然进行脱气；其中，在小于10‑4托的压强中执行所述半导体衬底的脱气，并且在半导体衬底的脱气期间，连续泵送所述脱气装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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