[发明专利]EUV掩模和通过使用EUV掩模的制造方法有效
| 申请号： | 201510843839.6 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105629657B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种光刻掩模。光刻掩模包括：含有低热膨胀材料(LTEM)的衬底。反射结构设置在衬底上方。覆盖层设置在反射结构上方。吸收层设置在覆盖层上方。吸收层含有折射率在从约0.95至约1.01的范围内和消光系数大于约0.03的材料。本发明实施例涉及EUV掩模和通过使用EUV掩模的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | euv 通过 使用 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻掩模，包括：/n衬底，含有低热膨胀材料；/n反射结构，设置在所述衬底上方；/n覆盖层，设置在所述反射结构上方；以及/n吸收层，设置在所述覆盖层上方，其中，在极紫外光的波长范围下，所述吸收层含有具有在从0.95至1.01的范围内的折射率和在从0.4至0.54的范围内的消光系数的材料。/n
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