[发明专利]用于EUV掩模的薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201510843473.2 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105629656B | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 石志聪;游信胜;陈政宏;严涛南 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明根据一些实施例提供了一种方法。从背侧研磨晶圆。将晶圆插入到通过框架保持架限定的开口内。通过临时层将框架保持架附接至载体。将晶圆的正侧附接至临时层。之后，从背侧蚀刻晶圆直到晶圆达到预定厚度。之后，将其中的框架保持架和晶圆从临时层和载体分离。本发明实施例涉及用于EUV掩模的薄膜及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 euv 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：/n从背侧研磨晶圆；/n将所述晶圆插入到通过框架保持架限定的开口内，其中，通过临时层将所述框架保持架附接至载体，其中，实施所述插入从而使得所述晶圆的正侧附接至所述临时层，其中，所述临时层含有在施加热量或紫外辐射下膨胀的发泡材料；/n之后，从背侧蚀刻所述晶圆直到所述晶圆达到预定厚度；以及/n之后，将其中的所述框架保持架和所述晶圆从所述临时层和所述载体分离。/n
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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