[发明专利]互补式金氧半场效晶体管结构及制作其的方法

摘要

本发明揭露一种互补式金氧半场效晶体管结构及制作其的方法。堆叠的互补式晶体管使用选择性沉积技术来形成一个直立柱体，下部包含一半导体的类型(例如锗)，上部包含另一种类型的半导体(例如砷化铟)。垂直柱体下部提供一类型晶体管的通道区，上部提供另一类型晶体管的通道区。这提供一种占据最小集成电路表面积的互补对。这种互补式晶体管可以使用于各种电路图。以上叙述为互补式晶体管，下方晶体管为p型晶体管，上方晶体管为n型晶体管。本发明的实施例的优点是提供互补式晶体管，其中该晶体管使用一最小的集成电路表面积。

主权项

1.一种互补式金氧半场效晶体管结构，其特征在于，包含：一柱体下部包含锗晶体，该柱体下部形成于一基板上，其中该基板包含第一半导电材料；一第一栅极环绕及绝缘于该柱体下部；一柱体上部包含砷化铟，其中该柱体下部提供p型场效晶体管一通道区，以及该柱体上部提供n型场效晶体管一通道区；以及一第二栅极环绕及绝缘于该柱体上部。