[发明专利]一种利用多孔氧化铝膜制备金纳米线阵列的方法在审
| 申请号： | 201510839639.3 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105568356A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 张俊 | 申请（专利权）人： | 陕西易阳科技有限公司 |
| 主分类号： | C25F3/20 | 分类号： | C25F3/20;C25D11/10;C25D11/12 |
| 代理公司： | 西安亿诺专利代理有限公司 61220 | 代理人： | 刘斌 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及低维金属纳米材料技术领域，具体涉及一种利用多孔氧化铝膜制备金纳米线阵列的方法。一种利用多孔氧化铝膜制备金纳米线阵列的方法，包括以下步骤：（1）将高纯铝箔在高氯酸与无水乙醇的混合溶液中电化学抛光；（2）将电抛光后的铝箔在草酸溶液中氧化30min，并除去氧化层；（3）在裸露的铝基底上进行第二次阳极氧化4h；用饱和氯化汞溶液除去多孔氧化铝模板背部的铝基。本发明在草酸溶液中制备多孔氧化铝膜，表面光滑，膜层细致均匀。纳米孔呈圆形，每个孔周围有六个孔洞，孔洞与孔洞之间形成六方紧密堆积结构整个膜胞为正六边形，排列高度有序。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 多孔 氧化铝 制备 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种利用多孔氧化铝膜制备金纳米线阵列的方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将高纯铝箔在高氯酸与无水乙醇的混合溶液中电化学抛光；（2）将电抛光后的铝箔在草酸溶液中氧化30 min，并除去氧化层；（3）在裸露的铝基底上进行第二次阳极氧化4h；用饱和氯化汞溶液除去多孔氧化铝模板背部的铝基。
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