[发明专利]一种晶片托盘及MOCVD系统有效
申请号: | 201510836832.1 | 申请日: | 2015-11-26 |
公开(公告)号: | CN106801222B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 金小亮;陈爱华;吕青;王国斌 | 申请(专利权)人: | 中晟光电设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种晶片托盘及MOCVD系统。一种晶片托盘,用于MOCVD系统中,MOCVD系统包括支撑轴和加热元件,其特征在于,晶片托盘包括托盘本体、设置于托盘本体下表面中心的凸台和连接于凸台下表面的旋转连接件;支撑轴的上端面设置有凹坑,旋转连接件插入凹坑并与凹坑相配合;托盘本体置于加热元件上方,且凸台被其邻近加热元件所环绕。本发明实现了在采用托盘本体中心支撑结构时,托盘本体中心温度能够和托盘周边区域保持基本一致,温度均匀性有较大改善,使晶片托盘仍能高速旋转及便于机械手等自动传盘。 | ||
搜索关键词: | 托盘本体 托盘 加热元件 凹坑 种晶 旋转连接件 晶片托盘 支撑轴 凸台 中心支撑结构 温度均匀性 机械手 区域保持 托盘周边 上端面 下表面 环绕 邻近 配合 | ||
【主权项】:
1.一种晶片托盘,用于MOCVD系统中,所述MOCVD系统包括支撑轴和加热元件,其特征在于,所述晶片托盘包括托盘本体、设置于托盘本体下表面中心的凸台和连接于所述凸台下表面的旋转连接件;作为所述托盘本体和所述旋转连接件之间的连接机构,所述凸台与所述托盘本体和/或所述旋转连接件为一体加工而成,或者所述凸台与所述托盘本体和所述旋转连接件为3个互相独立的结构装配而成;所述托盘本体置于所述加热元件上方,且所述凸台被其邻近加热元件所环绕;至少有一层加热元件的下表面高于该凸台的下表面;在外延反应时,所述凸台的侧面接收邻近所述凸台的加热元件散发的热量;所述凸台的厚度大于或等于一层加热元件的厚度;所述凸台的下表面面积大于所述旋转连接件的上表面面积;所述凸台的下表面和托盘本体的下表面平行;所述旋转连接件为锥形结构,所述支撑轴的上端面设置有凹坑,所述旋转连接件插入所述凹坑并与所述凹坑相配合,所述旋转连接件与所述支撑轴配合;所述托盘本体置于所述加热元件上方,用于承载被加热晶片;所述托盘本体上表面中心设置有用于放置外延片的凹盘,或者所述托盘本体上表面中心位于用于放置外延片的凹盘内。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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