[发明专利]一种光刻工艺对准方法有效
| 申请号： | 201510836057.X | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105353592B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 万浩;陈保友;许刚;盛二威;王猛 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F1/42 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及光刻工艺技术领域，尤其涉及一种光刻工艺对准方法，提供一待光刻半导体衬底，在所述半导体衬底表面沉积高吸光性膜形成预对准标记之前，先于该半导体衬底的表面蚀刻出新的对准光罩以形成预对准图形，再基于所述预对准标记对所述半导体衬底进行前层对准操作，利用预对准标记沉积形成的光罩形貌作为对准，对准光不需要穿透高吸光性膜层，避免了光的大量吸收而实现曝光对准。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 工艺 对准 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光刻工艺对准方法，其特征在于，包括：提供一待光刻半导体衬底；于所述半导体衬底上制备预对准图形；沉积硬光罩膜覆盖所述半导体衬底的表面，以在所述预对准图形上形成预对准标记；基于所述预对准标记对所述半导体衬底进行前层对准操作后，继续对所述半导体衬底进行所述光刻工艺；其中，所述硬光罩膜具有吸光特性；利用所述硬光罩膜沉积形成的形貌来作对准，对准光利用沉积膜层形成的起伏形貌进行光波干涉从而实现前层对准操作。
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