[发明专利]用无边界接触技术制造集成电子器件尤其是CMOS器件的方法

摘要

本公开涉及用无边界接触技术制造集成电子器件尤其是CMOS器件的方法。为了制造集成电子器件(5)，第一材料的保护层(20)形成在具有不平坦表面(6)的主体(3,6)上方；第二材料的介电层(22)形成在保护层上方，第二材料相对于第一材料可被选择性地蚀刻；第三材料的中间层(23)形成在第一介电层上方，第三材料相对于第二材料可被选择性地蚀刻；第四材料的第二介电层(24)形成在中间层上方，第四材料相对于第三材料可被选择性地蚀刻；通孔(35)形成为穿过第二介电层、中间层、第一介电层和保护层；以及导电材料的电接触件(4)形成在通孔中。

主权项

一种用于制造集成电子器件(5)的方法，包括：在具有不平坦表面(6)的主体(3,6)上形成第一材料的保护层(20)；在所述保护层上形成第二材料的第一介电层(22)，所述第二材料相对于所述第一材料是选择性地可蚀刻的；在所述第一介电层上形成第三材料的中间层(23)，所述第三材料相对于所述第二材料是选择性地可蚀刻的；在所述中间层上形成第四材料的第二介电层(24)，所述第四材料相对于所述第三材料是选择性地可蚀刻的；形成穿过所述第二介电层、所述中间层、所述第一介电层和所述保护层的通孔(35)；以及在所述通孔中形成导电材料的电接触件(40)。