[发明专利]高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置及方法有效
申请号: | 201510833941.8 | 申请日: | 2015-11-25 |
公开(公告)号: | CN105375905B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 胡龙;苏建仓;丁臻捷;浩庆松;袁雪林;方旭;樊亚军 | 申请(专利权)人: | 西北核技术研究所 |
主分类号: | H03K4/02 | 分类号: | H03K4/02 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 杨亚婷 |
地址: | 71002*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的脉冲产生装置及方法,脉冲产生装置包括多级阶梯状脉冲形成线,多级阶梯状脉冲形成线的输入端并联设置至少两只半绝缘砷化镓雪崩开关,各半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通;工作时,半绝缘砷化镓雪崩开关由光脉冲触发导通,每只开关以固定的重复频率工作。各并联的半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通。如果时间间隔为单只开关工作的时间周期除以开关联数量,本发明基于半绝缘砷化镓雪崩开关的脉冲产生装置及方法可实现高重复频率、高输出电压和亚纳秒脉冲前沿的脉冲输出。 1 | ||
搜索关键词: | 半绝缘砷化镓 雪崩 脉冲产生装置 高重复频率 多级阶梯状 脉冲形成线 高电压 导通 高输出电压 输入端并联 触发导通 脉冲输出 纳秒脉冲 时间周期 重复频率 固定的 光脉冲 并联 关联 | ||
【主权项】:
1.高重复频率、高电压、亚纳秒前沿的双极脉冲产生方法,其特征在于:包括以下步骤:1)将多只半绝缘砷化镓雪崩开关并联于阶梯状脉冲形成线的输入端,各并联的半绝缘砷化镓雪崩开关在时间上顺次导通,时间间隔为单只开关工作的时间周期除以开关并联数量;2)给阶梯状脉冲形成线充电;3)充电完成后,触发其中一只半绝缘砷化镓雪崩开关导通,阶梯状脉冲形成线对应在负载输出双极脉冲;4)再次给阶梯状脉冲形成线充电;5)充电完成后,触发另外一只半绝缘砷化镓雪崩开关导通,相邻两只半绝缘砷化镓雪崩开关的导通时间间隔为单只开关工作的时间周期除以开关并联数量,阶梯状脉冲形成线对应在负载输出另一双极脉冲;6)重复步骤4)与5),多只半绝缘砷化镓雪崩开关交替工作对应阶梯状脉冲形成线输出多个双极脉冲。
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