[发明专利]GaN基LED外延结构的制备方法在审
| 申请号： | 201510833450.3 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106784171A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 琚晶;马后永;游正璋;张宇;李起鸣;徐慧文 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基LED外延结构的制备方法，包括以下步骤提供生长衬底，在所述生长衬底上生长缓冲层；采用非连续生长工艺在所述缓冲层上生长未掺杂的GaN层；在所述未掺杂的GaN层上生长N型GaN层；在所述N型GaN层上生长InGaN/GaN超晶格量子阱结构；在所述InGaN/GaN超晶格量子阱结构上生长InGaN/GaN多量子阱发光层结构；在所述InGaN/GaN多量子阱发光层结构上依次生长AlGaN层、低温P型层及P型电子阻挡层；在所述P型电子阻挡层上生长P型GaN层。采用非连续生长工艺在所述缓冲层上依次生长未掺杂的GaN层，可以有效地抑制外延结构中的线性缺陷，进而改善GaN基LED外延结构的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 外延 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED外延结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供生长衬底，在所述生长衬底上生长缓冲层；采用非连续生长工艺在所述缓冲层上生长未掺杂的GaN层；在所述未掺杂的GaN层上生长N型GaN层；在所述N型GaN层上生长InGaN/GaN超晶格量子阱结构；在所述InGaN/GaN超晶格量子阱结构上生长InGaN/GaN多量子阱发光层结构；在所述InGaN/GaN多量子阱发光层结构上依次生长AlGaN层、低温P型层及P型电子阻挡层；在所述P型电子阻挡层上生长P型GaN层。
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