[发明专利]BST电容器配置方法有效
| 申请号: | 201510830559.1 | 申请日: | 2015-11-25 |
| 公开(公告)号: | CN106257374B | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
| 发明(设计)人: | S·沙莱 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
| 地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本公开的各种实施例涉及BST电容器配置方法。用于配置具有能够通过偏置设置为设定点值的电容的电容器的方法和电路,包括以下步骤:(a)注入恒定电流以偏置电容器;(b)在时间间隔的结束处测量电容器的偏置电压;(c)计算在所述时间间隔的结束处获得的所述电容的值;(d)将这一值与期望值相比较;(e)只要所计算的值不同于所述设定点值,则重复步骤(a)到(d);并且只要所计算的电容值等于所述设定点值,则存储所测量的所述偏置电压的值作为要向所述电容器施加的偏置电压。 | ||
| 搜索关键词: | bst 电容器 配置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种配置具有能够通过偏置设置为设定点值的电容(C)的BST电容器(1)的方法,所述方法包括以下步骤:(a)注入(41)恒定电流(Ic)以偏置所述电容器;(b)在时间间隔(ΔT)的结束处测量(43)所述电容器的偏置电压(Vbias);(c)计算(44)在所述时间间隔的结束处获得的所述电容(C)的值;(d)将这一值与所述设定点值相比较(45);(e)只要所计算的值不同于所述设定点值,则重复步骤(a)到(d);并且只要所计算的电容值等于所述设定点值,则存储(46)所测量的所述偏置电压的值作为要向所述电容器施加的偏置电压,其中所述计算步骤应用以下公式:ΔC=Ic*ΔT/ΔV,其中Ic表示所述恒定电流的值,并且其中ΔV和ΔC分别表示在时间间隔ΔT的结束与开始之间的所测量的偏置电压的变化以及电容变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(图尔)公司,未经意法半导体(图尔)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510830559.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:人造草坪通道温度调节装置
- 下一篇:力量感测电子装置





